三种主流研磨抛光技术1、种是物理研磨这种研磨颗粒呈不规则菱形状，粗中细级别都有，去氧化和划痕效果相当不错，是市面主流研磨抛光技术；而带棱角的粗研磨剂往往造成二次细微划痕，需要更细一级的研磨剂二次以上研磨，程序复杂，同时不可避免的伤及漆面。经常使用这种研磨产品和技术，让漆面像般的依赖抛光打蜡，清漆层已越抛越薄，原车漆光亮度黯然失色2、第二种是物理+覆盖研磨刚抛完的粗中划痕消失，有光亮效果，但在太阳光下有明显细微划痕和旋光，原因：部份划痕被蜡或树脂油性成份填补，而非真正去除；油性过大，抛光毛球行走纹路产生旋光。这种抛光方式极易在洗二三次车后划痕重现，具有较强的欺骗性。不知就理的店主和技师将非常烦恼！3、第三种是比较和少见的研磨技术破碎抛光技术，研磨剂呈玻珠圆状，不会造成二次研磨划痕，同时漆面的温度较低；当抛光毛球高速运转与研磨剂产生一定的温度时，使研磨颗粒瞬间破碎，化学抛光销售，形成更细颗粒，有效对细微深层抛光，一步到位，越抛越亮，化学抛光价格，这种抛光技术即保证了效果，也的杜绝了抛光对漆面的伤害（抛光必有伤害）！同时这类研磨剂不含蜡或树脂油性成份，抛出的光泽是漆面深邃的原漆光泽，冷光质感今人惊艳。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
突出特点编辑1、适用范围广，可适用200、300、400系列各种材质的不锈钢；2、抛光液不含铬离子，符合当今环保要求，节省环保设备投资及废水处理费用；3、抛光电流密度小，化学抛光厂家，电压低，电能消耗较传统工艺低1倍以上；4、抛光，质量好，数分钟内可抛至镜面光亮；5、抛光液使用寿命长，易于维护管理。状态：透明液体；酸碱性：酸性； 可燃性：不燃不爆；腐蚀性：有腐蚀性，1、推荐工艺：（除油除锈活化→水洗→晾干）→电解抛光→水洗→钝化→水洗→中和→水洗；2、原液使用，铅板做阴极（负极），不锈钢工件做阳极（正极），温度为60-65度，江苏化学抛光，电流密度为10-25安培/平方分米，电压8—10伏，电解时间5-8分钟。（根据用户不同的要求可浸5-40分钟）
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