康普特CONPUT碳化硅研磨液的作用是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据粗磨和精磨工艺的不同分别使用粗磨液、精磨液。
SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层,研磨液中会使用粒径较大的磨粒,以提高加工效率。碳化硅晶圆精磨液主要是去除粗磨留下的表面损伤层,改善表面光洁度,并控制表面面形和晶片的厚度,利于后续的精细抛光,使用粒径较细的磨粒研磨晶片。
为获得高效的研磨速率,吉致电子SiC单晶衬底研磨液,需具有以下性能:
①悬浮性好,能分散高硬度磨料,并保持体系稳定。
②高去除速率,减少工艺步骤。
③研磨后SiC表面均匀(Ra<1nm),不容易产生深划伤,提高良率及减少后续抛光时间。